Тайминги оперативной памяти samsung

Что означают эти непонятные цифры на оперативной памяти для ПК? Ведь тайминги напрямую влияют на ее быстродействие, но их величина — это вовсе не объем и не скорость. Рассказываем понятным языком и объясняем, какие параметры лучше.

При выборе оперативной памяти для ПК многие пользователи сталкиваются с вопросом изучения характеристик чипов, в том числе рабочих частот и таймингов. Но если с первыми все понятно — чем они выше, тем быстрее память, то со вторыми не все так просто. Мы расскажем, для чего нужен этот параметр и как выбрать планку с оптимальными значениями таймингов.

Что влияет на скоростные параметры ОЗУ

От скоростных показателей оперативной памяти зависит как быстро будет осуществляться обмен данными между процессором и жестким диском и системой. Чем выше частота работы чипов, тем больше операций чтения/записи она может выполнить в единицу времени. Конечно, от объема оперативной памяти также зависит общее быстродействие ПК, но лишь в определенных программах.

Это может быть интересно:

Характеристики памяти

Возьмем конкретный пример: планка оперативной памяти DDR3 1600 RAM имеет в обозначениях еще и такие характеристики, как PC3 12800, а у модуля DDR4 2400 RAM указано PC4 19200. Что это означает? Первая цифра указывает на частоту работы памяти в МГц, то вторая связана с битами:

1 байт = 8 бит

Из этого можно вычислить, что DDR3 с частотой 1600 МГц сможет обработать 12800 МБ/сек. Аналогично этому DDR4 2400 сможет попустить через себя данные со скоростью 19200 МБ/сек. Таким образом, со скоростью обработки данных разобрались.

Теперь плавно переходим к таймингам. Эти цифры также указывают на наклейках на оперативной памяти в виде счетверённых через дефис цифр, например, 7-7-7-24, 8-8-8-24 и т.д. Эти цифры обозначают, какой промежуток времени (задержка) необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти.

Эта задержка характеризует, какое количество тактовых импульсов необходимо для считывания данных из ячеек памяти для 4-х таймингов. Самый важный из четырех цифр — первый, и на этикетке может быть написан только он.

Это может быть интересно:

Поэтому, в этих характеристиках действует обратный принцип: чем меньше числа, тем выше скорость. А меньшая задержка обеспечит быстрее считать или записать данные в ячейку памяти и затем достигнут процессора для обработки.

Тайминги замеряют период ожидания (CL, CAS Latency, где CAS — Acess Strobe) чипа памяти, пока он обрабатывает текущий процесс. Т.е. это время между получением команды на чтение и ее выполнением.

Со следующими двумя цифрами все несколько сложнее. Вторая цифра в строке таймингов RAS-CAS, ) является ни чем иным, как отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды на чтение или запись. Здесь также — чем меньше, тем лучше.

Третья цифра, это RAS Precharge — время, за которое проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой.

И последняя цифра демонстрирует параметр памяти Row Active. Он определяет задержку, в течение которой активна одна строка в ячейке.

Какие тайминги лучше выбирать

Допустим вы покупаете для своего ноутбука комплект оперативной памяти из двух планок DDR. В этом случае тайминги будут одинаковые у обеих модулей, что определяет их стабильную работу. Что касается величины, то определяющей является первая цифра, обозначаемая, как CL-9. А значения 9-9-9-24 можно охарактеризовать, как средние по быстродействию.

Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов, и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал почти на треть цикла.

Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться. При этом важно, чтобы в материнской была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ.

Как узнать тайминги оперативной памяти

Для этих целей не обязательно вскрывать корпус и вытаскивать из слотов планки оперативной памяти. Специальная бесплатная утилита CPU-Z позволит быстро узнать нужные цифры таймингов. Скачать ее можно с сайта программы.

Как посчитать тайминг самому

Для вычисления таймингов самостоятельно можно использовать довольно простую формулу:

Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)

Таким образом, из скриншота с CPU-Z можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 400 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 800 МГц) будет выдавать примерно:

1 / 400 000 000 = 2,5 нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-11 модуль будет выдавать задержки периодом 2,5 х 11 = 27,5 нсек. В CPU-Z это значение показано как 28. Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.

Как вручную задать тайминги в BIOS

Такая возможность есть не в любой материнской плате — лишь в оверклокерских модификациях. Вы можете попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых системой значений, после чего нужно внимательно следить за стабильностью работы ПК под нагрузкой. Если в БИОС специальных настроек не предусмотрено, то стоит смириться с теми, которые установлены по умолчанию.

Читайте также:  Фильм где мальчик влюбился во взрослую женщину

Читайте также:

Фото: компании-производители

реклама

В данном тесте будет 4 режима работы памяти

реклама

Samsung 3200 cl13 tuned. Память на чипах Samsung B die с частотой 3200 МГц, основными таймингами 13-14-14-28-1T и настроенными вторичными таймингами.

реклама

Samsung 3900 cl17 tuned. Samsung с частотой 3900 МГц, основными таймингами 17-18-18-34-2T и настроенными вторичными таймингами.

реклама

реклама

Видеосравнение

крайне желательно смотреть в 1440p или 4K, т.к. в 1080p ужасные артефакты от сжатия

Тестовый стенд

CPU: Core i7 8700K @ 4.8 GHz

Cooler: Phanteks PH-TC14PE + Noctua NF-A15

RAM: 2*8GB Geil Super Luce 2666 / ADATA XPG D41 3600

VGA: EVGA Geforce RTX 2080 XC Ultra

PSU: Corsair RM650

Case: Fractal Design Define R5 + 3x bequiet Silent Wings 2 140 mm + 1x Noctua NF-A14

SSD: Crucial P1 500GB NVMe, Crucial MX500 1TB, 2x Crusial M4 128GB, Silicon Power 1TB, Kinston V400 240 GB

Driver version 418.81

Windows 10 x64 LTSC

Список игр

Assassin’s Creed Odyssey. Максимальные настройки графики. Встроенный бенчмарк. Замер производительности с помощью Fraps.

Far Cry 5. Максимальные настройки графики. Встроенный бенчмарк. Замер производительности с помощью Fraps.

Shadow of the Tomb Raider. Максимальные настройки графики. Встроенный бенчмарк.

Witcher 3. Максимальные настройки графики с выключенным Hairworks. Проезд по Новиграду и окрестностям. Замер производительности с помощью Fraps при проезде по Новиграду (первые 60 секунд).

Watch Dogs 2. Максимальные настройки графики. Проезд по центральной улице на быстром автомобиле. Замер производительности с помощью Fraps (первые 50 секунд).

Все тесты проводились в 720p, 1080p и 1440p. Замер с помощью Fraps проводился 2 раза. 3-й раз только при серьезных отклонениях в результатах 2-х прогонов.

Fallout 4. Бонус к тесту. Максимальные настройки графики. Верх завода Корвега. Только 1440p

Сводная таблица результатов AIDA64

Результаты

Assassin’s Creed Odyssey

Небольшое уточнение касательно результатов Odyssey. Примерно каждый 3-4 прогон теста проходит при другом освещении (более пасмурная погода). В этом случае итоговый результат снижается примерно на 5%, а в определенные моменты разница достигает 10%. Об этом важно помнить в том числе и тестировщикам, т.к. если забыть о данной особенности, будут некорректные результаты.

Far Cry 5

Shadow o the Tomb Raider

Watch Dogs 2

Witcher 3

Fallout 4

Те, кто посмотрел видео, могут отметить, что как Micron, так и Samsung на частоте 3200 показывают на видео меньший результат. Ошибки тут нет, я проверил несколько раз. Просто на частоте 3900 включение мониторинга и запись видео не влияют на фпс (как минимум в данном тесте в Fallout 4), в отличие от частоты 3200

Особо внимательные могут также отметить снижение результатов относительно предыдущего тестирования, в котором Micron 3200 показывал 62 фпс. Не могу утверждать с полной уверенностью, но думаю, что тут дело в новых версиях Windows и, возможно bios, и тех патчах безопасности, что они привнесли. Предыдущий тест проводился на Windows 10 LTSB 1607 с отключенными обновлениями, текущий на Windows 10 LTSC 1809. Обновляться пришлось, т.к. RTX 2080 не поддерживается в 1607.

Выводы

Изначально планировалось сравнить только Micron и Samsung на частоте 3200 МГц. Просмотр видеозаписей, сделанных на разной памяти, показывал ощутимую разницу. Но полученные с помощью Fraps результаты показали, что это не так. Да, можно заметить кратковременнные просадки фпс на Micron, но на 1% и 0.1% они особо не влияют, скорее на средний фпс. Да и видно все это в первую очередь в 720p. В 1080p уже результаты выравниваются, а в 1440p уже все зависит скорее от везения при прохождении теста, нежели от того, какая именно память используется.

Чтобы тест имел хоть какой-то практический смысл, я решил добавить также 2 режима с частотой 3900 МГц, в результате чего тестирование и создание видеосравнения заняло месяц. И что можно сказать в результате?

Тестовые режимы разделились по парам. В первую пару попали Micron 3200 cl15 tuned и Samsung 3900 cl17 default. На видео высокочастный Samsung часто выглядит быстрее конкурента, но сравнение результатов Fraps показывают примерный паритет.

Во второй паре оказались 3200 cl13 и 3900 cl17 с настроенными вторичками. 3900, как правило, быстрее.

Итог. 3200 МГц даже со слабыми основными таймингами, но настроенными вторичками, вполне достаточная память для 8700K на частоте 4,8 ГГц и RTX 2080. Настройка вторичек обязательна, если вы хотите получить максимум от своей системы, особенно, если частота вашей памяти 3200 МГц и ниже.

Что является залогом хорошего разгона оперативной памяти? Конечно же использование соответствующего процессора и материнской платы, но, первостепенно – правильного выбора самих модулей ОЗУ. А правильность определяется не количеством подсветки и высотой радиатора. Использование тех или иных микросхем памяти, разводка печатной платы могут как привести к желаемому результату, так и заставить топтаться в начали пути. В данном обзоре мы с вами рассмотрим один из самых оптимальных и беспроигрышных во всех отношениях вариантов – OEM-решения от компании Samsung, основанные на популярных среди оверклокеров (и просто любителях вставил и забыл) микросхемах ревизии B-die. M378A2K43BB1-CRC и M378A1K43BB2-CRC поставляются без упаковки, без радиаторов, не обладают никаким примечательным внешним видом. Но истинная их прелесть кроется в другом.

Читайте также:  Срок годности рижского черного бальзама

Технические характеристики

Дизайн и особенности модулей

Samsung M378A2K43BB1-CRC и M378A1K43BB2-CRC выглядят как типичные представители OEM-решений оперативной памяти: печатная плата, микросхемы памяти и SPD. В моём распоряжении оказалось по 2 модуля каждой серии.

OEM-решения зачастую не имею никакой упаковки при поступлении в продажу, и RAM от Samsung не оказалась исключением. Только лишь магазин поместил опознавательные знаки с обеих сторон PCB.

Второй модуль M378A1K43BB2-CRC оказался лишен "клейма", и на его примере мы познакомимся с легендарной оперативной памятью от Samsung.

Лицевая сторона является основным носителем информации: объем памяти набран с помощью 8 микросхем K4A8G085WB-BCRC емкостью 8 Гбит каждая. Уже сейчас Samsung сделал доступными для производителей и розничной покупки OEM-решения на новых 16 Гбит модулях, которые производятся по технологическим нормам 10 нм. Но пока их нет в массовой продаже и неизвестна цена, B-die будет самым производительным и универсальным решением.

Небольшая микросхема является SPD – хранилищем данных о режимах работы оперативной памяти.

Фирменная наклейка дает нам небольшой объем информации: уточняются производитель, серийный номер, объем (8 ГБ), конфигурация (8 модулей с одной стороны), рабочая частота (2400 МГц), место производства (Китай) и полное наименование. На самой печатной плате можно заметить названия компании (верхний левый угол) и маркировку самой PCB (верхний правый). И здесь меткий глаз может заметить M378A1K43CB2-V03, связав выделенную часть с микросхемами C-die. В этом есть лишь доля правды: героиня обзора и M378A1K43CB2-CRC построены на одной и той же печатной плате, и отличаются только лишь микросхемами памяти – K4A8G085WB-BCRC и K4A8G085WC-BCRC. Одна буква, а столько различий.

С обратной стороны PCB наблюдаются лишь переходные отверстия и перфорация. Одноранговая структура во всей красе, без альтернативы.

С M378A2K43BB1-CRC история повторяется: один модуль "заклеймен" наклейками DNS, на примере другого мы познакомимся с "чистым" Samsung B-die.

Планки оперативной памяти с 16 ГБ основаны на другой печатной плате, нежели M378A1K43BB2-CRC, поэтому можно наблюдать и немного другой оттенок модулей. Отличаются и разводка, и расположение компонентной базы, но микросхемы неизменны – K4A8G085WB-BCRC, хотя и в префиксе есть небольшие отличия: SEC 819 против SEC 837.

Ключевое отличие кроется в объеме одного модуля и, как следствие, его структуры: микросхемы памяти на M378A1K43BB2-CRC расположены с двух сторон и ОЗУ, по причине использования микросхем плотностью 8 Гбит, имеет двухранговую организацию. Количество рангов (ранков) не следует путать с двухсторонней установкой микросхем: рассматриваемый параметр говорит о количестве физических микросхем на один физический канал CS.

Параметры SPD

С помощью программы Thaiphoon Burner извлекаются интересующие данные из SPD.

Модули M378A2K43BB1-CRC (16 ГБ)

В каждом модуле M378A2K43BB1-CRC используются микросхемы памяти DDR4 с маркировкой K4A8G085WB-BCRC от компании Samsung. В SPD прописаны название производителя, партийный и серийный номера, примерная дата и место производства. Объем каждого модуля набран 16 микросхемами по 1024 МБ с двухранговой структурой. Ревизия платы B1, на ней нет установленных термодатчиков. В SPD отсутствуют профили XMP, что является типичным для OEM-решений.

Производитель в SPD прописал комбинации стандартов JEDEC для частот 1333, 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Основным стандартом является DDR4-2400, при этом наиболее производительная конфигурация с таймингами 17-17-17-39-55.

Судя по серийному номеру и схожей дате производства, модули случайным образом являются чуть ли не соседями, отличаясь по порядку меньше, чем на 7000.

Модули M378A1K43BB2-CRC (8 ГБ)

В M378A1K43BB2-CRC используются микросхемы памяти DDR4 с маркировкой K4A8G085WB-BCRC от компании Samsung. В SPD прописаны название производителя, партийный и серийный номера, примерная дата и место производства. Объем каждого модуля набран 8 микросхемами по 1024 МБ с одноранговой структурой. Ревизия платы A2, на ней нет установленных термодатчиков. В SPD отсутствуют профили XMP, что является типичным для OEM-решений.

Производитель в SPD прописал комбинации стандартов JEDEC для частот 1333, 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Основным стандартом является DDR4-2400, при этом наиболее производительная конфигурация с таймингами 17-17-17-39-55.

Как и с M378A2K43BB1-CRC, нам попались соседи по конвейеру с относительно свежей датой производства.

Тестовый стенд

• ASUS ROG MAXIMUS XI GENE (BIOS 0805);

• Intel Core i9-9900K в разгоне до 5000 МГц при напряжении 1.24 В (частота кольцевой шины 4700 МГц);

• Модули оперативной памяти Samsung (ревизия B-die):

¹ 2×8 ГБ M378A1K43BB2-CRC;

² 2х16 ГБ M378A2K43BB1-CRC;

• ASUS GeForce GTX 1080 Ti STRIX OC;

• Кастомная система жидкостного охлаждения;

• Intel Optane SSD 900P объемом 480 ГБ (Windows 10 Pro);

• be quiet! Straight Power 850 W;

• Thermaltake Core P5 TG.

Методика тестирования

Тестирование модулей оперативной памяти Samsung M378A2K43BB1-CRC и M378A1K43BB2-CRC проводилось на тестовом стенде с процессором Intel Core i9-9900K. С помощью программы TestMem5 версии 0.12 определялась стабильность при использовании на различных комбинациях частоты и таймингов, достижимых без превышения напряжения Vdram выше 1.35. Для достижения максимальной производительности регулировались все доступные тайминги. Изменения пропускной способности и задержек определялись с помощью тестовой программы AIDA64.

Тестирование и разгон M378A2K43BB1-CRC (16 ГБ)

Первая планка памяти объемом 16 ГБ показала хорошие результаты уже на напряжении до 1.35 В (что для B-die даже без радиаторов является невысоким напряжением).

Частота модуля была увеличена на 50% – до 3600 МГц. При этом основные тайминги были лишь незначительно увеличены, приняв значения 17-19-19-38 CR2. Тесты стабильности система проходила без ошибок.

Читайте также:  Циркуляционный насос работал без воды

Высокая задержка в A >

Для OEM-решений удалось добиться стабильной работы на tRFC=480 тактам, когда для отборных микросхем на такой частоте типичным является значение от 280 и ниже.

В итоге подросла пропускная способность, но наибольший эффект заметен на задержках: их снижение на 9,3% может оказать линейный прирост производительности.

Второй модуль памяти был "соседом" по конвейеру, поэтому не ожидалось сильного отклонения от предельного разгона на напряжении до 1.35 В.

И действительно – результат полностью повторился. Возможно, что тонкая настойка отдельных второстепенных таймингов позволила бы незначительно улучшить результат, но основных временные характеристики, а также tRFC и tRRD/tFAW, не отклонялись ни на йоту.

В итоге получились идентичные показатели пропускной способности и задержек.

Схожие результаты разгона приводят к закономерному финалу для обоих тестовых модулей: парная работа в двухканальном режиме обеспечивается без каких-либо проблем, без изменения таймингов.

Двухканальный режим работы позволяет увеличить пропускную способность памяти, что мы и видим в AIDA64. Стоимость такого набора оперативной памяти будет значительно превышать цену OEM-решений. И за отсутствие радиаторов переживать не стоит: проверка ИК-пирометром показала, что никаких перегревов, да и, в целом, высоких температур,

на M378A2K43BB1-CRC не наблюдается.

Стоит отметить, что для двухранговой памяти в двухканальном режиме работы характерны высокие значения копирования, схожие по номиналу с чтением. В дальнейшем этот постулат можно будет проверить на M378A1K43BB2-CRC.

Зависимость режимов работы от напряжения показывает, что оба модуля практически идентичны по параметрам. Установить радиаторы (несколько сотен рублей за отличное качество), прошить XMP, и вот уже готовое решение с приличной экономией.

А для частот 3000-3200 МГц еще и понадобится заметно меньшее напряжение – всего 1.25-1.27 В.

Тестирование и разгон M378A1K43BB2-CRC (8 ГБ)

Одноранговые "близнецы" даже с оттянутыми таймингами до 19-19-19-42 удивили: при вдвое меньшем количестве микросхем, что должно способствовать улучшению разгона, для первого модуля частоту 3600 МГц преодолеть не удалось.

При второстепенных таймингах в автоматическом режиме и CAS=10,55 нс задержка у одноранговой памяти оказывается немного лучше, чем у модулей с двумя ранками.

Настройка второстепенных таймингов показала, что перед нами "клон" микросхем тестируемых ранее M378A2K43BB1-CRC. Те же пределы регулирования при примерно том же (отключающемся на сотые) напряжении.

Задержка 43,5 нс – достойный результат, учитывая, что перед нами – одно из самых недорогих ОЕМ-решений.

Напомню, что второй модуль произведен в то же время, в том же месте.

Но при этом он не смог показать стабильной работы на частоте, выше 3466 МГц! Вот вам и лотерея, вот вам и одноранги, которые отличаются более высоким разгоном.

Это соответственно сказалось на пропускной способности и задержках.

Что самое удивительное – даже настройка основных и второстепенных таймингов в количестве тактов была такой же, как и у всех остальных модулей на частоте 3600 МГц. То есть вместо CAS=9,44 нс мы получаем уже 9,8 нс.

Результаты в AIDA64 соответствуют всей печали ситуации.

А она заключается в том, что второй модуль памяти будет являться ограничителем в двухканальном режиме работы: вместо 3600 МГц, как было с M378A2K43BB1-CRC, придется довольствоваться 3466 CL17-19-19-36 CR2.

Качество микросхем (или же одной микросхемы), установленных во втором модуле, заметно ниже – это отражается не только на рабочей частоте, но и таймингах во временных значениях.

При этом отклонения в напряжениях на частотах ниже 3466 МГц назвать критическими нельзя. Да и повышение напряжения на 0.03 В показало, что для стабильности на 3600 МГц (если ее вообще возможно получить) потребуется напряжение за 1.4 В, что по условиям тестирования недопустимо.

Заключение

Samsung M378A2K43BB1-CRC и M378A1K43BB2-CRC неспроста носят звание народных любимцев: в моменты диких цен на оперативную память DDR4 и, особенно, на комплекты с тем самым B-die, эти OEM-решения являлись светлым лучом для тех, кто хотел решить вопрос совместимости и разгона путем наименьших затрат. Сейчас мы стоим на пороге перехода производителей на новые нормы технологического процесса, появление более производительных и перспективных ревизий микросхем (чего только стоит Micron E-die, который может дать фору и рассматриваемому B-die от Samsung), появление первых 16 Гбит микросхем для настольных компьютеров. Но всё это не отменяет заслуг M378A2K43BB1-CRC и M378A1K43BB2-CRC, не умаляет их привлекательности.

Стоит обратить внимание на то, что даже выпуск модулей в один день не гарантирует их идентичного качества, равно как и высоких результатов производительности. Да и планки, выпущенные в мае 2018 года, оказались перспективнее тех, что были произведены в октябре. Не говоря о том, что соотношение производительности у моделей с большим количеством рангов является компенсацией большей частоты у одноранговых моделей, чего мы не заметили у тестовых M378A1K43BB2-CRC.

В заключении стоит заметить, что основополагающим звеном в разгоне ОЗУ являются напряжение и правильная подборка основных таймингов. Являясь обладателем ОЕМ-решений на Samsung B-die не бойтесь ставить 1.35-1.4 В без какого-либо обдува, и, если от напряжения замечен прирост частоты, не поскупитесь на недорогие радиаторы на память.

Samsung B-die, несмотря на новые решения у порога и на горизонте, еще долго будет тем типом памяти, который одинаково хорош как для систем на Intel, так и для AMD. Если же вам интересно узнать, как изменится производительность системы в целом от разгона оперативной памяти и настроек таймингов – советую ознакомиться с материалом.

Оцените статью
Добавить комментарий

Adblock
detector