Транзисторы малошумящие нч зарубежные

В транзисторах, как и в любом другом электронном приборе, генерируются внутренние электрические шумы, которые, в отличие от различного рода помех и наводок, в принципе не могут быть устранены полностью. Шумы возникают вследствие дискретной природы электричества и теплового движения электронов. Они отличаются хаотичностью, то есть отсутствием регулярности во времени. Однако средняя мощность и спектральная плотность (средняя плотность распределения мощности по спектру частот) обычно являются вполне определенными величинами.

Основные типы шумов в биполярных транзисторах – это тепловые, дробовые, типа 1/f и шумы токораспределения.

1. Тепловой шум (шум Джонсона) обусловлен хаотическим движением носителей заряда в объеме полупроводника и проявляется как флуктуации напряжения на разомкнутых зажимах резистора. Среднеквадратичная эдс шума описывается формулой Найквиста , где K – постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура, R – сопротивление, – полоса частот, в которой рассматривается шум. Очевидно, что мощность теплового шума .

На эквивалентных схемах источник шума изображается в виде идеального резистора (нешумящего) и генератора эдс шума. О величине среднеквадратичного значения эдс теплового шума в полосе частот в 1 Гц можно судить по графику рис. 8.1.

Спектральная плотность (мощность на единицу частот) не зависит от частоты вплоть до инфракрасных длин волн. Поэтому тепловой шум относят к шумам белого спектра.

2. Дробовой шум обусловлен дискретной природой электричества и проявляется как флуктуации токов через электронно-дырочные переходы. Описывается формулой Шоттки: , где q – заряд электрона, I – постоянный ток через переход, – полоса частот, в которой рассматривается шум. На схемах изображается в виде генератора тока . О величине тока дробового шума в полосе частот 1 Гц можно судить по графику рис. 8.2. Дробовой шум не зависит от частоты и относится к шумам белого спектра (белый шум).

3. Избыточные шумы или шумы типа 1/f. Название связано с плотностью мощности шума, которая зависит от частоты по закону 1/f. Другое название – фликкер-шум. Проявляется в диапазоне звуковых частот, особенно в нижней его части. Считается, что в биполярном транзисторе существует две области, являющиеся источниками избыточных шумов. Во-первых, это область пространственного заряда эмиттерного перехода. На поверхности (у поверхности) существуют уровни ловушек, которые могут на некоторое время захватывать носители заряда. Экспериментально доказано, что мощность фликкер-шума эмиттерного перехода пропорциональна плотности состояний эмиттерного перехода и растет с увеличением тока через переход. Количественно шум оценивается среднеквадратичным значением тока. Например, для электронов , где А – коэффициент, зависящий от тока эмиттера, – полоса рассматриваемых частот. является характеристикой отдельного транзистора (не типа, а экземпляра) и поэтому конкретной формой описан быть не может.

Другим источником шума является область пространственного заряда коллекторного перехода – спонтанные флуктуации поверхностной проводимости, обусловленной токами утечки. Эти флуктуации сильно зависят от состояния поверхности коллекторного переходи и растут с увеличением напряжения на переходе: . Здесь зависит от .

Эквивалентная схема транзистора в области шумов белого спектра, предложенная Джаколетто, показана на рис. 8.3. В схеме – тепловой шум базы транзистора, – тепловой шум источника сигнала, и – дробовые шумы эмиттерного и коллекторного переходов соответственно.

Шумовые свойства транзистора в целом характеризуются коэффициентом шума. Коэффициент шума определяют как отношение полной мощности шумов на выходе усилителя к мощности теплового шума генератора сигнала:

или .

В последней формуле – среднеквадратичное полное шумовое напряжение на выходе транзистора.

Характерная зависимость коэффициента шума от частоты для транзисторов показана на рис. 8.4. Реальная кривая не имеет резких изломов, а наклоны участков верхних и нижних частот могут быть другими. и – граничные частоты белого шума. В области белого шума коэффициент шума через параметры транзистора выражается следующим образом:

.

Область от до частоты, на которой полностью преобладает шум типа 1/f, большая. Например, для транзистора КТ312 =5000 Гц, а частота, на которой все шумы в десять раз меньше фликкер-шума, равна 50 Гц. В области высоких частот уменьшается коэффициент передачи по току транзистора – уменьшается ток коллектора и увеличивается ток базы. Ток базы – это рекомбинационный ток. А так как рекомбинация – процесс случайный, то появляются флуктуации тока и, таким образом, шум. Этот шум носит название высокочастотного или шума токораспределения. Частота, на которой удваивается (увеличивается на 3 дБ по сравнению с величиной ), называется частотой удвоения: . Из формулы следует, что с ростом статического коэффициента передачи тока базы область белого шума сужается.

Коэффициент шума не зависит от нагрузки, зависит от сопротивления генератора, от температуры и тока эмиттера (через ), от напряжения на коллекторе (шумы утечки). С уменьшением тока и напряжения уменьшается. Величину , при которой коэффициент шума минимален, можно определить по формуле:

.

Минимум некритичен к отклонению от : при изменении сопротивления генератора в 2 – 3 раза меняется на 20-30 %. Типовое значение равно 0,3 – 1 кОм.

Транзисторы, имеющие , считаются малошумящими. В справочной литературе по таким транзисторам приводится максимально допустимое значение коэффициента шума. Определить пригодность транзистора для работы в малошумящем усилителе в области высоких частот можно следующим образом. На выбранной высокой частоте f рассчитывают . Вычисляют при . Сравнивают его с заданным по техническому заданию, и если он меньше, то необходимо еще вычислить частоту удвоения при . Если, то такой транзистор можно ставить в схему. В области низких частот подбор транзистора желательно осуществлять таким образом, чтобы нижняя граничная частота белого шума была меньше нижней граничной частоты амплитудно-частотной характеристики усилителя.

Несколько практических замечаний.

Все усилительные элементы электронных устройств вносят вклад в общий шум, но основное значение обычно имеет шум первого каскада, так как он усиливается всеми последующими каскадами. Поэтому собственные шумы многокаскадных усилителей можно считать равными сумме тепловых шумов входной цепи и шумов первого усилительного каскада. Отсюда и метод борьбы – подбор малошумящих транзисторов в первом каскаде.

Читайте также:  Фото на никон д3100

Еще меньшими шумами по сравнению с биполярными транзисторами обладают полевые транзисторы с управляющим переходом. Они имеют только тепловой шум канала. Однако это справедливо лишь при больших сопротивлениях источника сигнала. Это касается и ламповых усилителей. Биполярные лучше работают с низкоомными генераторами.

Если учесть, что шумы зависят от тока эмиттера (коллектора) и напряжения на коллекторе, то второй путь борьбы с шумами – уменьшение и микрорежим по току. При работе на микротоках практически все биполярные транзисторы становятся малошумящими.

Так как коэффициент шума зависит от температуры, то следует избегать нагрева малошумящих каскадов, не располагать их рядом с мощными каскадами.

Большое значение обратного тока коллектора говорит о большой плотности поверхностных состояний перехода, которые случайным образом могут захватывать носители заряда, летящие через pn-переход, случайным образом отдавать их и, таким образом, давать флуктуации тока через переход, то есть шум. Как правило, транзисторы с малым имеют и малые значения .

Все схемы включения транзистора – ОБ, ОЭ, ОК, имеют практически одинаковые шумовые свойства.

Так как коэффициент шума зависит от тока, то оптимальный ток по шумам, как правило, не совпадает с оптимальным током по режиму транзистора. Вспомнимте, как резко уменьшается при токах менее 1 мА. Поэтому при конструировании малошумящих каскадов предпочтение отдается обеспечению малого коэффициента шума.

С другой стороны, схема, оптимальная по с точки зрения шумов, не является оптимальной с точки зрения согласования сопротивлений источника сигнала и усилителя. В этом случае основной задачей остается обеспечение малого уровня шумов. Все остальные характеристики можно наверстать с помощью последующих каскадов.

О борьбе с шумами не только транзисторов, но и в электронике вообще, можно найти в книге – Отт Г. Методы подавления шумов и помех в электронных системах. / Пер. с англ. М.: Мир, 1979.

Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Основные параметры:

Uмакс. – Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – эмиттер
Iмакс. – Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. – Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h21э – Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо – Обратный ток коллектора
Kус. – Коэффициент усиления по мощности
Kш. – Коэффициент шума транзистора

Малой мощности

В корпусе SOT-23

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h21э
BFR92A N-P-N 15 25 0,3 5 2,1 40-90
BFR93A N-P-N 12 35 0,3 6 1,9 40-90
BFR193 N-P-N 12 80 0,58 8 1,3 50-200
BFS17A N-P-N 15 25 0,3 2,8 2,5 25-90
BFT92 P-N-P 15 25 0,3 5 2,5 20-50
BFT93 P-N-P 12 35 0,3 5 2,4 20-50

В корпусе TO-50

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h21э
BF970 P-N-P 35 30 0,3 1 4,2 25-90
BF979 P-N-P 20 50 0,3 1,75 3,4 20-90
BFR90A N-P-N 15 30 0,3 6 1,8 50-150
BFR91A N-P-N 12 50 0,3 6 1,6 40-150
BFR96TS N-P-N 15 100 0,7 5 4 25-150

В корпусе TO-50

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BF199 N-P-N 25 25 0,5 550 >38
BF240 N-P-N 40 25 0,3 >150 60-220
BF324 P-N-P 30 25 0,3 450 >25
BF450 P-N-P 40 25 0,3 375 >50
BF494 N-P-N 20 30 0,3 >260 >30
BF959 N-P-N 20 100 0,625 >600 >35

В различных типах корпусов

Рассмотрены схемы и конструкции высокочувствительных микрофонов в комплексе с самодельными малошумящими усилителями низкой частоты (УНЧ).

Конструирование чувствительного и малошумящего усилителя (УНЧ) имеет свои особенности. Наибольшее влияние на качество воспроизведения звуков и разборчивость речи оказывают амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) усилителя, уровень его шумов, параметры микрофона (АЧХ, диаграмма направленности, чувствительность и т.д.) или заменяющих его датчиков, а также их взаимная согласованность с усилителем. Усилитель должен иметь достаточное усиление.

При использовании микрофона – это 60дб-80дб, т.е. 1000-10000 раз. Учитывая особенности приема полезного сигнала и его низкую величину в условиях сравнительно значительного уровня помех, которые существуют всегда, целесообразно в конструкции усилителя предусмотреть возможность коррекции АХЧ, те. частотной селекции обрабатываемого сигнала.

При этом необходимо учитывать, что наиболее информативный участок звукового диапазона сосредоточен в полосе от 300 Гц до 3-3.5 кГц. Правда, иногда с целью уменьшения помех эту полосу сокращают еще больше. Использование полосового фильтра в составе усилителя позволяет значительно увеличить дальность прослушивания (в 2 и более раз).

Еще большей дальности можно достичь использованием в составе УНЧ селективных фильтров с высокой добротностью, позволяющих выделять или подавлять сигнал на определенных частотах. Это дает возможность значительно повысить соотношение сигнал/шум.

Элементарная база

Современная элементная база позволяет создавать качественные УНЧ на основе малошумящих операционных усилителей (ОУ), например, К548УН1, К548УН2, К548УНЗ, КР140УД12, КР140УД20 и т.д.

Однако, несмотря широкую номенклатуру специализированных микросхем и ОУ, и их высокие параметры, УНЧ на транзисторах в настоящее время не потеряли своего значения. Использование современных, малошумящих транзисторов, особенно в первом каскаде, позволяет создать оптимальные по параметрам и сложности усилители : малошумящие, компактные, экономичные, рассчитанные на низковольтное питание. Поэтому транзисторные УНЧ часто оказываются хорошей альтернативой усилителям на интегральных микросхемах.

Для минимизации уровня шумов в усилителях, особенно в первых каскадах, целесообразно использовать высококачественные элементы. К таким элементам относятся малошумящие биполярные транзисторы с высоким коэффициентом усиления, например, КТ3102, КТ3107. Однако в зависимости от назначения УНЧ используются и полевые транзисторы.

Большое значение играют и параметры остальных элементов. В малошумящих каскадах электронных схем используют оксидные конденсаторы К53-1, К53-14, К50-35 и т. п., неполярные – КМ6, МБМ и т. п., резисторы – не хуже традиционных 5% МЛТ-0.25 и МЛ Т-0.125, лучший вариант резисторов – проволочные, безиндуктивные резисторы.

Входное сопротивление УНЧ должно соответствовать сопротивлению источника сигнала – микрофона или заменяющего его датчика. Обычно входное сопротивление УНЧ стараются сделать равным (или немного больше) сопротивлению источника-преобразователя сигнала на основных частотах.

Читайте также:  Создание таблиц в phpmyadmin

Для минимизации электрических помех целесообразно для подключения микрофона к УНЧ использовать экранированные провода минимальной длины. Электретный микрофон МЭК-3 рекомендуется монтировать непосредственно на плате первого каскада микрофонного усилителя.

При необходимости значительного удаления микрофона от УНЧ следует использовать усилитель с дифференциальным входом, а подключение осуществлять витой парой проводов в экране. Экран подключается к схеме в одной точке общего провода максимально близко к первому ОУ. Это обеспечивает минимизацию уровня наведенных в проводах электрических помех.

Малошумящий УНЧ для микрофона на К548УН1А

На рисунке 1 представлен пример УНЧ на основе специализированной микросхемы – ИС К548УН1А, содержащей 2 малошумящих ОУ. ОУ и УНЧ, созданный на базе этих ОУ (ИС К548УН1А), рассчитаны на однополярное напряжение питания 9В – ЗОВ. В приведенной схеме УНЧ первый ОУ включен в варианте, который обеспечивает минимальный уровень шумов ОУ.

Рис. 1. Схема УНЧ на ОУ К548УН1А и варианты подключения микрофонов: а – УНЧ на ОУ К548УН1А, б – подключение динамического микрофона, в – подключение электретного микрофона, г – подключение удаленного микрофона.

Элементы для схемы на рисунке 1 :

  • R1 =240-510, R2=2.4к, R3=24к-51к (подстройка усиления),
  • R4=3к-10к, R5=1к-3к, R6=240к, R7=20к-100к (подстройка усиления), R8=10; R9=820-1.6к (для 9В);
  • С1 =0.2-0.47, С2=10мкФ-50мкФ, С3=0.1, С4=4.7мкФ-50мкФ,
  • С5=4.7мкФ-50мкФ, С6=10мкФ-50мкФ, С7=10мкФ-50мкФ, С8=0.1-0.47, С9=100мкФ-500мкФ;
  • ОУ 1 и 2 – ОУ ИС К548УН1А (Б), два ОУ в одном корпусе ИС;
  • Т1, Т2 – КТ315, КТ361 или КТ3102, КТ3107 или аналогичные;
  • D1 – стабилитрон, например, КС133, можно использовать светодиод в обычном включении, например, АЛ307;
  • М – МД64, МД200 (б), МЭК-3 или аналогичный (в),
  • Т – ТМ-2А .

Выходные транзисторы данной схемы УНЧ работают без начального смещения (с Iпокоя=0). Искажения типа “ступенька" практически отсутствуют благодаря глубокой отрицательной обратной связи, охватывающей второй ОУ микросхемы и выходные транзисторы. При необходимости изменения режима выходных транзисторов (Iпокоя=0) схему необходимо соответствующим образом откорректировать: включить в схему резистор или диоды между базами Т1 и Т2, два резистора по 3-5к с баз транзисторов на общий провод и провод питания.

Кстати, в УНЧ в двухтактных выходных каскадах без начального смещения хорошо работают уже устаревшие германиевые транзисторы. Это позволяет использовать с такой структурой выходного каскада ОУ с относительно низкой скоростью нарастания выходного напряжения без опасности возникновения искажений, связанных с нулевым током покоя. Для исключения опасности возбуждения усилителя на высоких частотах используется конденсатор СЗ, подключенный рядом с ОУ, и цепочка R8С8 на выходе УНЧ (достаточно часто RC на выходе усилителя можно исключить).

Малошумящий микрофонный УНЧ на транзисторах

На рисунке 2 представлен пример схемы УНЧ на транзисторах. В первых каскадах транзисторы работают в режиме микротоков, что обеспечивает минимизацию внутренних шумов УНЧ. Здесь целесообразно использовать транзисторы с большим коэффициентом усиления, но малым обратным током.

Это могут быть, например, 159НТ1В (Iк0=20нА) или КТ3102 (Iк0=50нА), или аналогичные.

Рис. 2. Схема УНЧ на транзисторах и варианты подключения микрофонов: а УНЧ на транзисторах, б – подключение динамического микрофона, в – подключение электретного микрофона, г – подключение удаленного микрофона.

Элементы для схемы на рисунке 2 :

  • R1=43к-51к, R2=510к (подстройка, Uкт2=1.2В-1,8В),
  • R3=5.6к-6.8к (регулятор громкости), R4=3к, R5=750,
  • R6=150к, R7=150к, R8=33к; R9=820-1.2к, R10=200-330,
  • R11=100к (подстройка, Uэт5=Uэт6=1.5В),
  • R12=1 к (подстройка тока покоя Т5 и Т6, 1-2 мА);
  • С1=10мкФ-50мкФ, С2=0.15мкФ-1мкФ, С3=1800,
  • С4=10мкФ-20мкФ, С5=1мкФ, С6=10мкФ-50мкФ, С7=100мкФ-500мкФ;
  • Т1, Т2, Т3 -159НТ1 В, КТ3102Е или аналогичные,
  • Т4, Т5 – КТ315 или аналогичные, но можно и МП38А,
  • Т6 – КТ361 или аналогичные, но можно и МП42Б;
  • М – МД64, МД200 (б), МЭК-3 или аналогичный (в),
  • Т – ТМ-2А.

Использование подобных транзисторов позволяет обеспечить не только устойчивую работу транзисторов при малых коллекторных токах, но и достичь хороших усилительных характеристик при низком уровне шумов.

Выходные транзисторы могут использоваться как кремниевые (КТ315 и КТ361, КТ3102 и КТ3107, и т.п.), так и германиевые (МП38А и МП42Б и т.п.). Настройка схемы сводится к установке резистором R2 и резистором RЗ соответствующих напряжений на транзисторах: 1,5В – на коллекторе Т2 и 1,5В – на эмиттерах Т5 и Т6.

Микрофонный усилитель на ОУ с дифференциальным входом

На рисунке 3 представлен пример УНЧ на ОУ с дифференциальным входом. Правильно собранный и настроенный УНЧ обеспечивает значительное подавление синфазной помехи (60 дб и более). Это обеспечивает выделение полезного сигнала при значительном уровне синфазных помех.

Следует напомнить, что синфазная помеха – помеха, поступающая в равных фазах на оба входа ОУ УНЧ, например, помеха, наведенная на оба сигнальных провода от микрофона. Для обеспечения корректной работы дифференциального каскада необходимо точно выполнить условие: R1 =R2, R3=R4.

Рис.3. Схема УНЧ на ОУ с дифференциальным входом и варианты подключения микрофонов : а – УНЧ с дифференциальным входом, б – подключение динамического микрофона, в – подключение электретного микрофона, г – подключение удаленного микрофона.

Элементы для схемы на рисунке 3:

  • R1=R2=20к (равно или немного выше максимального сопротивления источника в рабочем диапазоне частот),
  • RЗ=R4=1м-2м; R5=2к-10к, R6=1к-Зк,
  • R7=47к-300к (подстройка усиления, К=1+R7/R6), R8=10, R9=1,2к-2.4к;
  • C1=0.1-0.22, C2=0.1-0.22, СЗ=4.7мкФ-20мкФ, C4=0.1;
  • ОУ – КР1407УД2, КР140УД20, КР1401УД2Б, К140УД8 или другие ОУ в типовом включении, желательно с внутренней коррекцией;
  • Т1, Т2 – КТ3102, КТ3107 или КТ315, КТ361, или аналогичные;
  • D1 – стабилитрон, например, КС133, можно использовать светодиод в обычном включении, например, АЛ307;
  • М – МД64, МД200 (б), МЭК-3 или аналогичный (в),
  • Т – ТМ-2А .

Резисторы целесообразно подобрать с помощью омметра среди 1%-резисторов с хорошей температурной стабильностью. Для обеспечения необходимого баланса рекомендуется один из четырех резисторов (например, R2 или R4) выполнить переменным. Это может быть высокоточный переменный резистор-подстроечник с внутренним редуктором.

Для минимизации шумов входное сопротивление УНЧ (значения резисторов R1 и R2) должно соответствовать сопротивлению микрофона или заменяющего его датчика. Выходные транзисторы УНЧ работают без начального смещения (с 1покоя=0). Искажения типа "ступенька” практически отсутствуют благодаря глубокой отрицательной обратной связи, охватывающей второй ОУ и выходные транзисторы. При необходимости схему включения транзисторов можно изменить.

Читайте также:  Тренажер эллипс отзывы худеющих

Настройка дифференциального каскада: подать синусоидальный сигнал 50 Гц на оба входа дифференциального канала одновременно, подбором величины RЗ или R4 обеспечить на выходе ОУ 1 нулевой уровень сигнала 50 Гц. Для настройки используется сигнал 50 Гц, т.к. электросеть частотой 50 Гц дает максимальный вклад в суммарную величину напряжения помехи. Хорошие резисторы и тщательная настройка позволяют достичь подавления синфазной помехи 60дб-80дб и более.

Для повышения устойчивости работы УНЧ целесообразно зашунтировать выводы питания ОУ конденсаторами и на выходе усилителя включить RC-целочку (как в схеме усилителя на рисунке 1). Для этой цели можно использовать конденсаторы КМ6.

Для подключения микрофона использована витая пара проводов в экране. Экран подключается к УНЧ (только в одной точке !!) максимально близко от входа ОУ.

Улучшеные усилители для чувствительных микрофонов

Применение в выходных каскадах УНЧ низкоскоростных ОУ и эксплуатация кремниевых транзисторов в усилителях мощности в режиме без начального смещения (ток покоя равен нулю – режим В) может, как это уже отмечалось выше, привести к переходным искажениям типа “ступенька”. В этом случае для исключения данных искажений целесообразно изменить структуру выходного каскада таким образом, чтобы выходные транзисторы работали с небольшим начальным током (режим АВ).

На рисунке 4 представлен пример подобной модернизации приведенной схемы усилителя с дифференциальным входом (рисунок 3).

Рис.4. Схема УНЧ на ОУ с дифференциальным входом и с низким уровнем искажений выходного каскада.

Элементы для схемы на рисунка 4 :

  • R1=R2=20к (равно или немного выше максимального сопротивления источника в рабочем диапазоне частот),
  • RЗ=R4=1м-2м; R5=2к-10к, R6=1к-Зк,
  • R7=47к-300к (подстройка усиления, К=1+R7/R6),
  • R8=10, R10=10к-20к,R11=10к-20к;
  • С1 =0.1-0.22, С2=0.1-0.22, СЗ=4.7мкФ-20мкФ, C4=0.1;
  • ОУ – К140УД8, КР1407УД2, КР140УД12, КР140УД20, КР1401УД2Б или другие ОУ в типовом включении и желательно с внутренней коррекцией;
  • Т1, Т2 – КТ3102, КТ3107 или КТ315, КТ361, или аналогичные;
  • D2, D3 – КД523 или аналогичные;
  • М – МД64, МД200, МЭК-3 или аналогичный (в),
  • Т – ТМ-2А .

На рисунке 5 представлен пример УНЧ на транзисторах. В первых каскадах транзисторы работают в режиме микротоков, что обеспечивает минимизацию шумов УНЧ. Схема во многом аналогична схеме на рисунке 2. Для увеличения доли полезного сигнала низкого уровня на фоне неизбежных помех в схему УНЧ включен полосовой фильтр, обеспечивающий выделение частот в полосе 300 Гц -3.5 кГц.

Рис.5. Схема УНЧ на транзисторах с полосовым фильтром и варианты подключения микрофонов: а – УНЧ с полосовым фильтром, б – подключение динамического микрофона, в – подключение электретного микрофона.

Элементы для схемы на рисунке 5 :

  • R1=43к-51к, R2=510к (подстройка, Uкт2=1.2В-1,8В),
  • R3=5.6к-6.8к (регулятор громкости), R4=3к, R5=8.2к,
  • R6=8.2к, R7=180, R8=750; R9=150к, R10=150к, R11=33к,
  • R12=620, R13=820-1,2к, R14=200-330,
  • R15=100к (подстройка, Uэт5=Uэт6=1.5В), R16=1 к (подстройка тока покоя Т5 и Т6, 1-2мА);
  • С1=10мкФ-50мкФ, С2=0.15-0.33, С3=1800,
  • С4=10мкФ-20мкФ, С5=0.022, С6=0.022,
  • С7=0.022, С8=1мкФ, С9=10мкФ-20мкФ, С10=100мкФ-500мкФ;
  • Т1, Т2, Т3 -159НТ1 В, КТ3102Е или аналогичные;
  • Т4, Т5 – КТ3102, КТ315 или аналогичные, но можно и устаревшие, германиевые транзисторы, например, МП38А,
  • Т6 – КТ3107 (если Т5 – КТ3102), КТ361 (если Т5 – КТ315) или аналогичные, но можно и устаревшие, германиевые транзисторы, например, МП42Б (если Т5 – МП38А);
  • М – МД64, МД200 (б), МЭК-3 или аналогичный (в),
  • Т – ТМ-2А .

В данной схеме также целесообразно использовать транзисторы с большим коэффициентом усиления, но малым обратным током коллектора (Iк0), например, 159НТ1В (Iк0=20нА) или КТ3102 (Iк0=50нА), или аналогичные. Выходные транзисторы могут использоваться как кремниевые (КТ315 и КТ361, КТ3102 и КТ3107, и т.п.), так и германиевые (устаревшие транзисторы МП38А и МП42Б и т.п.).

Настройка схемы, как и в случае схемы УНЧ на рис.11.2, сводится к установке резистором R2 и резистором RЗ соответствующих напряжений на транзисторах Т2 и Т5, Т6: 1,5В – на коллекторе Т2 и 1,5В – на эмиттерах Т5 и Т6.

Конструкция микрофона

Из большого листа плотной бумаги с ворсом, под бархат, изготавливается труба диаметром 10-15 см и длиной 1.5-2 м. Ворс, как можно догадаться, конечно, должен быть не снаружи, а внутри. В один конец этой трубы вставляется чувствительный микрофон. Лучше если это будет хороший динамический или конденсаторный микрофон.

Однако можно воспользоваться и обычным, бытовым, микрофоном. Это может быть, например, динамический микрофон типа МД64, МД200 или даже миниатюрный МКЭ-3.

Правда, с бытовым микрофоном результат будет несколько хуже. Конечно, микрофон необходимо подключить с помощью экранированного кабеля к чувствительному усилителю с малым уровнем собственных шумов (рис.1 и 2). Если длина кабеля превышает 0.5 м, то лучше воспользоваться микрофонным усилителем, имеющим дифференциальный вход, например, УНЧ на ОУ (рис.

Это позволит уменьшить синфазную составляющую помех – различного рода наводки от ближайших электромагнитных устройств, фон 50 Гц от сети 220 В и т. д. Теперь о втором конце данной бумажной трубы. Если этот свободный конец трубы направить на источник звука, например, на группу разговаривающих людей, то можно услышать речь. Казалось бы ничего особенного.

Именно для этого и существуют микрофоны. И труба для этого совершенно не нужна. Однако удивительно то, что расстояние до разговаривающих может быть значительным, например, 100 и более метров. И усилитель, и микрофон, снабженный такой трубой, позволяют все достаточно хорошо слышать на таком значительном удалении.

Расстояние может быть даже увеличено при использовании специальных селективных фильтров, позволяющих выделять или подавлять сигнал в узких полосах частот.

Это дает возможность повысить уровень полезного сигнала в условиях неизбежно существующих помех. В упрощенном варианте вместо спецфильтров можно применить полосовой фильтр в УНЧ (рис. 4) или воспользоваться обычным эквалайзером – многополосным регулятором тембра, в крайнем случае – традиционным, т.с. обычным, двухполосным, регулятором тембра НЧ и ВЧ.

Литература: Рудомедов Е.А., Рудометов В.Е – Электроника и шпионские страсти-3.

Оцените статью
Добавить комментарий

Adblock
detector